近日，美國(guó)美光半導(dǎo)體國(guó)際有限公司封裝測(cè)試項(xiàng)目獲國(guó)家發(fā)展改革委核準(zhǔn)，由該公司在西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)設(shè)立的外商獨(dú)資企業(yè)建設(shè)經(jīng)營(yíng)。項(xiàng)目分兩期建設(shè)。一期工程建成后，生產(chǎn)能力為非標(biāo)準(zhǔn)DRAM芯片1億片/年、閃存5000萬(wàn)塊/年、CMOCS影像傳感器1000萬(wàn)塊/年、DRAM模塊300萬(wàn)塊/年；二期工程建成后，新增標(biāo)準(zhǔn)DRAM芯片2.37億片/年的封裝測(cè)試能力。項(xiàng)目總投資2.5億美元。項(xiàng)目經(jīng)營(yíng)期限50年。